JPS6037774A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6037774A JPS6037774A JP58147524A JP14752483A JPS6037774A JP S6037774 A JPS6037774 A JP S6037774A JP 58147524 A JP58147524 A JP 58147524A JP 14752483 A JP14752483 A JP 14752483A JP S6037774 A JPS6037774 A JP S6037774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- forming
- silicon film
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58147524A JPS6037774A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58147524A JPS6037774A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037774A true JPS6037774A (ja) | 1985-02-27 |
JPH0420263B2 JPH0420263B2 (en]) | 1992-04-02 |
Family
ID=15432260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58147524A Granted JPS6037774A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037774A (en]) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114261A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-05-19 | フェアチャイルド セミコンダクタ コーポレーション | トランジスタ用の自己整合型ベース分路 |
JPS63236347A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0223649A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5563821A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP58147524A patent/JPS6037774A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5563821A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114261A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-05-19 | フェアチャイルド セミコンダクタ コーポレーション | トランジスタ用の自己整合型ベース分路 |
JPS63236347A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0223649A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0420263B2 (en]) | 1992-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4665424A (en) | Semiconductor device | |
JPS62237754A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
US4803174A (en) | Bipolar transistor integrated circuit and method of manufacturing the same | |
US4740482A (en) | Method of manufacturing bipolar transistor | |
JPS6037774A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5852817A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS59112655A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0135505B2 (en]) | ||
JPS5989458A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6159775A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60207375A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5928377A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05343413A (ja) | バイポーラトランジスタとその製造方法 | |
JPS5968963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS612363A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61108169A (ja) | 半導体装置 | |
JP2753849B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS63187660A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPS61107772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0475346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6336567A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS63114261A (ja) | トランジスタ用の自己整合型ベース分路 | |
JPS62114267A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62114269A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61108162A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |